и приборы на их основе
(812) 294-25-32
|
|
ПубликацииТвердотельный лазер безопасного для глаз спектрального диапазона с диодной накачкой М.О. Искандаров, А.А. Никитичев, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов. II. Пути улучшения отвода тепла. А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов
Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных лазерных диодов. I. Теплоотвод традиционной конструкции. А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов
Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. III. Пути повышения мощности излучения. Д.М. Демидов, А.Л, Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов Мощные лазерные диоды с длиной волны 808нм. II. Нетермические механизмы ограничения выходной мощности. Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов Механизмы ограничения и пути повышения мощности излучения мощных лазерных диодов с длиной волны 808 нм ЗАО "Полупроводниковые приборы", ООО "Софт-Импакт" Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. I. Термические механизмы ограничения выходной мощности Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов Лазерные диоды для фотодинамической терапии Л.Е. Воробьев, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян
Мощные высокоэффективные квазинепрерывные
Н.И. Кацавец*, В.А. Бученков**, Д.М. Демидов*, Р.В. Леус*, Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100Вт лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров. Кацавец Н.И.*, Бученков В.А.**, Искандаров М.О.***, Никитичев А.А.***, Соколов Э.Г.*, Тер-Мартиросян А.Л.*
* ЗАО "Полупроводниковые приборы", 194156, Санкт-Петербург, Россия, Effect of Free-Carrier Absorption on Performance of 808 nm High-Power Laser Diodes K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, and S Yu Karpov**,***
* Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia Effect of free-carrier absorption on performance of 808 nm AlGaAs-based high-power laser diodes K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, S Yu Karpov**,***, D M Demidov**** and A L Ter-Martirosyan****
* Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia High Power Long Pulse Width QCW Laser Diode Bars for Optical Pumping of Yb-Er Glass Solid State Lasers N. I. Katsavets*, V. A. Buchenkov** and A. L. Ter-Martirosyan*
*ATC-Semiconductor Devices Joint-Stock Company, St. Petesburg, Russia
Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов. II. Пути улучшения отвода тепла. А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов
Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных лазерных диодов. I. Теплоотвод традиционной конструкции. А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов
Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. III. Пути повышения мощности излучения. Д.М. Демидов, А.Л, Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов Мощные лазерные диоды с длиной волны 808нм. II. Нетермические механизмы ограничения выходной мощности. Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов Механизмы ограничения и пути повышения мощности излучения мощных лазерных диодов с длиной волны 808 нм ЗАО "Полупроводниковые приборы", ООО "Софт-Импакт" Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. I. Термические механизмы ограничения выходной мощности Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов Лазерные диоды для фотодинамической терапии Л.Е. Воробьев, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян Мощные высокоэффективные квазинепрерывные
Н.И. Кацавец*, В.А. Бученков**, Д.М. Демидов*, Р.В. Леус*,
Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100Вт лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров. Кацавец Н.И.*, Бученков В.А.**, Искандаров М.О.***, Никитичев А.А.***, Соколов Э.Г.*, Тер-Мартиросян А.Л.* * ЗАО "Полупроводниковые приборы", 194156, Санкт-Петербург, Россия,
Effect of Free-Carrier Absorption on Performance of 808 nm High-Power Laser Diodes K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, and S Yu Karpov**,*** * Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia
Effect of free-carrier absorption on performance of 808 nm AlGaAs-based high-power laser diodes K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, S Yu Karpov**,***, D M Demidov**** and A L Ter-Martirosyan**** * Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia
High Power Long Pulse Width QCW Laser Diode Bars for Optical Pumping of Yb-Er Glass Solid State Lasers N. I. Katsavets*, V. A. Buchenkov** and A. L. Ter-Martirosyan* *ATC-Semiconductor Devices Joint-Stock Company, St. Petesburg, Russia
Новости 1 - 2 из 2 Начало | Пред. | 1 | След. | Конец |