Полупроводниковые лазеры
и приборы на их основе
Телефон
(812) 294-25-32
Факс
(812) 703-15-26

Публикации

ПУБЛИКАЦИИ

Твердотельный лазер безопасного для глаз спектрального диапазона с диодной накачкой 

М.О. Искандаров, А.А. Никитичев, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян

Подробнее

Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов. II. Пути улучшения отвода тепла.

А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов

Подробнее

Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных лазерных диодов. I. Теплоотвод традиционной конструкции.

А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов

Подробнее

Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. III. Пути повышения мощности излучения.

Д.М. Демидов, А.Л, Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов

Подробнее

Мощные лазерные диоды с длиной волны 808нм. II. Нетермические механизмы ограничения выходной мощности.

Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов

Подробнее

Механизмы ограничения и пути повышения мощности излучения мощных лазерных диодов с длиной волны 808 нм

ЗАО "Полупроводниковые приборы", ООО "Софт-Импакт"

Подробнее

Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. I. Термические механизмы ограничения выходной мощности

Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов

Подробнее

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Л.Е. Воробьев, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян

Подробнее

Мощные высокоэффективные квазинепрерывные
лазерные линейки для накачки твердотельных
лазеров на основе
Yb-содержащих активных сред.

Н.И. Кацавец*, В.А. Бученков**, Д.М. Демидов*, Р.В. Леус*,
М.О. Искандаров**, А.А. Никитичев**, А.Л. Тер-Мартиросян*.
* ЗАО "Полупроводниковые приборы" С-Петербург
** ФГУП "НИИ лазерной физики" С-Петербург

Подробнее

Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100Вт лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров.

Кацавец Н.И.*, Бученков В.А.**, Искандаров М.О.***, Никитичев А.А.***, Соколов Э.Г.*, Тер-Мартиросян А.Л.*

* ЗАО "Полупроводниковые приборы", 194156, Санкт-Петербург, Россия,
** ФГУП НПК ГОИ им.С.И.Вавилова, 199034, Санкт-Петербург, Россия,
*** СПБ Филиал ФГУП "НИИ ПП", 199034, Санкт-Петербург, Россия

Подробнее

Effect of Free-Carrier Absorption on Performance of 808 nm High-Power Laser Diodes

K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, and S Yu Karpov**,***

* Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia
** Soft-Impact, Ltd., P.O.Box 83, St.Petersburg, 194156 Russia
*** STR, Inc., P.O. Box 70604, Richmond, VA 23255-0604, USA
D M Demidov and A L Ter-Martirosyan
JSC "ATC-Semiconductor devices", P.O.Box 29, St.Petersburg, 194156 Russia

Подробнее

Effect of free-carrier absorption on performance of 808 nm AlGaAs-based high-power laser diodes

K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, S Yu Karpov**,***, D M Demidov**** and A L Ter-Martirosyan****

* Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia
** Soft-Impact, Ltd., P.O.Box 83, St.Petersburg, 194156 Russia
*** STR, Inc., P.O. Box 70604, Richmond, VA 23255-0604, USA
**** JSC "ATC-Semiconductor devices", P.O.Box 29, St.Petersburg, 194156 Russia

Подробнее

High Power Long Pulse Width QCW Laser Diode Bars for Optical Pumping of Yb-Er Glass Solid State Lasers N. I. Katsavets*, V. A. Buchenkov** and A. L. Ter-Martirosyan*

*ATC-Semiconductor Devices Joint-Stock Company, St. Petesburg, Russia
** Jenoptik Components Company, St. Petersburg, Russia

Подробнее  

Публикации

Последние публикации

Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных диодов. II. Пути улучшения отвода тепла.

А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов

Подробнее

Анализ и оптимизация конструкции теплоотводов для мощных лазерных лазерных диодов. I. Теплоотвод традиционной конструкции.

А.Л. Тер-Мартиросян, Д.М. Демидов, М.А. Свердлов, А.В. Кулик, С.Ю. Карпов

Подробнее

Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. III. Пути повышения мощности излучения.

Д.М. Демидов, А.Л, Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов

Подробнее

Мощные лазерные диоды с длиной волны 808нм. II. Нетермические механизмы ограничения выходной мощности.

Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов

Подробнее

Механизмы ограничения и пути повышения мощности излучения мощных лазерных диодов с длиной волны 808 нм

ЗАО "Полупроводниковые приборы", ООО "Софт-Импакт"

Подробнее

Мощные лазерные диоды с длиной волны 808 нм. I. Термические механизмы ограничения выходной мощности

Д.М. Демидов, А.Л. Тер-Мартиросян, К.А. Булашевич, О.В. Хохлев, С.Ю. Карпов

Подробнее

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Л.Е. Воробьев, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Д.М. Демидов, Р.В. Леус, М.А. Свердлов, А.Л. Тер-Мартиросян

Подробнее

Мощные высокоэффективные квазинепрерывные
лазерные линейки для накачки твердотельных
лазеров на основе
Yb-содержащих активных сред.

Н.И. Кацавец*, В.А. Бученков**, Д.М. Демидов*, Р.В. Леус*,
М.О. Искандаров**, А.А. Никитичев**, А.Л. Тер-Мартиросян*.
* ЗАО "Полупроводниковые приборы" С-Петербург
** ФГУП "НИИ лазерной физики" С-Петербург

Подробнее

Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100Вт лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров.

Кацавец Н.И.*, Бученков В.А.**, Искандаров М.О.***, Никитичев А.А.***, Соколов Э.Г.*, Тер-Мартиросян А.Л.*

* ЗАО "Полупроводниковые приборы", 194156, Санкт-Петербург, Россия,
** ФГУП НПК ГОИ им.С.И.Вавилова, 199034, Санкт-Петербург, Россия,
*** СПБ Филиал ФГУП "НИИ ПП", 199034, Санкт-Петербург, Россия

Подробнее

Effect of Free-Carrier Absorption on Performance of 808 nm High-Power Laser Diodes

K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, and S Yu Karpov**,***

* Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia
** Soft-Impact, Ltd., P.O.Box 83, St.Petersburg, 194156 Russia
*** STR, Inc., P.O. Box 70604, Richmond, VA 23255-0604, USA
D M Demidov and A L Ter-Martirosyan
JSC "ATC-Semiconductor devices", P.O.Box 29, St.Petersburg, 194156 Russia

Подробнее

Effect of free-carrier absorption on performance of 808 nm AlGaAs-based high-power laser diodes

K A Bulashevich*,**, V F Mymrin**, S Yu Karpov**,***, D M Demidov**** and A L Ter-Martirosyan****

* Ioffe Physico-Technical Institute, RAS, St.Petersburg, 194021 Russia
** Soft-Impact, Ltd., P.O.Box 83, St.Petersburg, 194156 Russia
*** STR, Inc., P.O. Box 70604, Richmond, VA 23255-0604, USA
**** JSC "ATC-Semiconductor devices", P.O.Box 29, St.Petersburg, 194156 Russia

Подробнее

High Power Long Pulse Width QCW Laser Diode Bars for Optical Pumping of Yb-Er Glass Solid State Lasers N. I. Katsavets*, V. A. Buchenkov** and A. L. Ter-Martirosyan*

*ATC-Semiconductor Devices Joint-Stock Company, St. Petesburg, Russia
** Jenoptik Components Company, St. Petersburg, Russia

Подробнее  


Новости 1 - 2 из 2
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец Все