|
|
" "
500 8 ,
150 .
:
InAlGaAs ,
MBE MOCVD.
. (
70-150 )
.
. ()
250-500 .
.
(C-mount, L-package),
, -3.
.
.
.
. -3
. .
-3 ,
-3.
-3 , . - . 50 . . 10 .
-3 , 20 ( ). .
L-package . 90 % , .
|
|
Основные технические характеристики:
| |
790..820 940..980 |
| (FWHM) |
2 |
| (FWHM) |
40x10 |
| |
| , T |
120..140 C |
T
ITH2=ITH1exp[(T2-T1)/To] |
| |
0.8 %/C |
| |
0.3 /C |
| |
5..10 C/ |
| , |
Rs=(Voper-1,5 )/Iop |
| |
|
0.3..10 / |
| |
|
| |
TB-31-0,6/0,8 ATC-C500 |
2.0 A |
| TB-17-1,0/0,7 ATC-C1000 |
7.0 A |
| Ma |
TB-31-0,6/0,8 ATC-C500 |
3.5 |
| TB-17-1,0/0,7 ATC-C1000 |
2.0 |
| T R +25 C |
10 5 % |
|
4 .
 
|
|
|
)
)
)
)
)
)
