РјР°С‚РµСЂРёР°Р»С‹ СЌР»РµРєС‚СЂРѕРЅРЅРѕР№ С‚РµС…РЅРёРєРё, РїРѕР»СѓРїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРѕРІС‹Рµ РґРёРѕРґС‹, РїРѕС‚РѕР»РѕС‡РЅС‹Рµ СЃРІРµС‚РёР»СЊРЅРёРєРё, Р»Р°РІРёРЅРЅС‹Рµ С„РѕС‚РѕРґРёРѕРґС‹, С„РѕС‚РѕРґРёРѕРґ, РѕРѕРѕ РїРѕР»СѓРїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРѕРІС‹Рµ РїСЂРёР±РѕСЂС‹, РєРѕСЂРїСѓСЃР° РїРѕР»СѓРїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРѕРІС‹С… РїСЂРёР±РѕСЂРѕРІ, РїРѕР»СѓРїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРё, РїРѕР»СѓРїСЂРѕРІРѕРґРЅРёРєРѕРІС‹Р№ Р»Р°Р·РµСЂ, Р»Р°Р·РµСЂРЅС‹Р№ РґРёРѕРґ РїСЂРѕРґР°Р¶Р°, Р»Р°Р·РµСЂРЅР°СЏ СѓРєР°Р·РєР°, РґРёРѕРґРЅС‹Р№ Р»Р°Р·РµСЂ

Технология

Ноу-Хау

Технология производства лазерных диодов и линеек с длиной волны излучения 0,79 - 0,98 мкм включает в себя полный цикл постростовых операций с лазерными гетероструктурами.
Технология предназначена для производства лазерных диодов с выходной оптической мощностью до 4 Вт в непрерывном режиме и лазерных линеек с выходной оптической мощностью до 100 Вт в квазинепрерывном режиме.
Такие лазерные диоды и линейки применяются в следующих областях:

накачка твердотельных лазеров

медицина: терапия, офтальмология, онкология, хирургия

беспроводная связь

системы подсветки

охранные системы

автоматика и робототехника

спектроскопия и другие научные применения

Преимущества

превосходные технические параметры лазеров изготовленных на базе данной технологии

полный список технологических операций

надежность

высокая воспроизводимость результатов

низкая стоимость

технологическое оборудование производства "ЗАО Полупроводниковые приборы"

гибкость

Описание технологии

Технологический цикл включает следующие основные технологические операции:

создание омических контактов

формирование мезаполосковой структуры

напыление многослойных диэлектрических покрытий

монтаж чипов и формирование верхнего контакта

корпусирование лазерных диодов

тестирование лазерных диодов

Технология разработанная в "ЗАО Полупроводниковые приборы" позволяет контролировать оптические и электрические параметры полупроводниковых лазеров на промежуточных стадиях изготовления. Это позволяет производить лазерные диоды с низкими омическим и тепловым сопротивлением и высокой внутренней квантовой эффективностью (около 100 %).
Гибкость

Все операции составляют единый технологический цикл. При добавлении отдельных технологических операций данная технология может быть использована для производства РОС-лазеров и одномодовых лазерных диодов.

Постростовой технологический комплекс адаптирован для производства лазерных диодов на основе In-Al-Ga-As, но может быть также использован и для производства лазеров на базе других III-V компонентов.

Все технологические операции могут быть воспроизведены на технологическом оборудовании заказчика.

ЗАО "Полупроводниковые приборы" предлагает полный комплект технической документации для передачи технологии, а также тренинг персонала на собственных производственных площадях или на территории заказчика.
ЗАО "Полупроводниковые приборы" также предлагает технологическое оборудование полностью подготовленное для проведения технологических процессов.

наверх


© Компания Полупроводниковые приборы", Санкт - Петербург, 2003, English version © Design & programming = Fort Inform, 2002